碳化矽歷史（Silicon Carbide History）

碳化矽歷史

1905年 第一次在隕石中發現碳化矽。

1907年 第一隻碳化矽晶體發光二極體誕生。

1955年 理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。

1958年 在波士頓召開第一次世界碳化矽會議進行學術交流。

1978年 六、七十年代碳化矽主要由前蘇聯進行研究。到1978年首次採用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法。

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化矽生產線，供應商開始提供商品化的碳化矽基。